يك ساختار جديد از ترانزيستور اثر ميداني سيلسيم بر روي عايق با استفاده از يك چاه با جنس p-SiGe براي جذب حفره‌هاي موجود در كانال كه ناشي از پديده‌ي يونيزاسيون است ارائه شده است. ايده‌ي اصلي در اين ساختار بهبود ولتاژ شكست، اثر بدنه ي شناور و اثرخودگرمايي ساختار با استفاده از كاهش تجمع حفره‌هاي نزديك سورس و كاهش ضخامت اكسيد مي‌باشد. چاه در اسيد مدفون زير كانال گذاشته شده است. دو پيك جديد در نمودار ميدان الكتريكي ايجاد مي‌شود و باعث توزيع بهتر و مسطح‌تر ميدان شده و ولتاژ شكست را بهبود مي‌دهد. همچنين اثر بدنه‌ي شناور را به دليل جذب حفره‌ها توسط چاه حفره كاهش داده و با جايگزيني تكه اي از SiGe به جاي اكسيد ضخامت اكسيد را كاهش داده و باعث بهبود خود گرمايي مي شود. به اين ترتيب ولتاژ شكست ، اثر بدنه ي شناور و اثر خودگرمايي ساختار همزمان بهبود مي‌يابد.

يك ترانزيستور كه به RMR-SOI معروف است براي حذف اثر ات كانال كوتاه معرفي شده است. ساختار پيشنهادي شامل يك ناحيه فلزي مستطيل شكل درلايه ي اكسيد موفون زير كانال زير گيت و نزديك درين است. وجود اين فلز منجر به اصلاح ميدان الكتريكي و بهبود مشخصات در ساختار پيشنهادي مي-شود و توزيع ميدان الكتريكي را كنترل مي كند و باعث بهبود پارامترهاي از جمله كاهش سد پتانسيل به وسيله درين (DIBL) ، اثرات حامل هاي داغ (HCE)، نشت درين به وسيله گيت (GIDL)، اثر خود گرما و جريان نشتي و شيب زيرآستانه مي شود خطوط ميدان توسط فلز پراكنده مي شود و در نتيجه فاصله كم دياگرام باند انرژي در سمت درين كه موجب افزايش جريان تولنيگ در حالت خاموش (جريان نشتي) مي شود تغيير كرده و با افزايش فاصله آنها در سمت كانال و درين باعث مي شود حامل هاي كمتري به سمت درين رفته و جريان نشتي كه يكي از مهم ترين پارامترهاي افزايش توان اتلافي است كاهش مي يابد. از طرفي با كاهش ميدان سمت درين اثر الكترون داغ به دليل كاهش دماي الكترون كاهش مي يابد. كاهش دماي الكترون جريان گيت و جريان زير آستانه را نيز كاهش مي دهد. در كاربرد ولتاژبالاي درين، به دليل تاثير ميدان الكتريكي درين، بلندي سد براي حامل هاي كانال در لبه سورس كاهش مي يابد واثر DIBL اتفاق مي افتد كه كاهش ميدان اين اثر را هم كاهش مي دهد. از طرفي به دليل اينكه خازن فلز اضافه شده با خازن گيت- درين سري مي شود خازن را كاهش داده و باعث بهبود مشخصات فركانسي قطعه نيز مي شود. در اين ايده مشخصات الكتريكي؛ حرارتي و فركانسي همزمان با هم بهبود دارد كه در هيچ ساختاري تاكنون به اين شكل نبوده است.

يك ترانزيستور كه آن را UJ-DG MOSFET ناميده ايم براي حذف اثرات كانال كوتاه و آسان شدن پروسه ساخت ماسفت دو گيتي معرفي شده است. ما براي حل مشكل ساخت و استفاده از ويژگي هاي ترانزيستور فلز- اكسيد- نيمه هادي دو گيتي، براي اولين بار يك ترانزيستور تك اتصالي پيشنهاد داديم. ساختار پيشنهادي شامل فقط يك اتصال N+-P مي باشد. ناحيه ي N+زير ناحيه سورس و قسمت كانال و درين ماده ي نوع Pقرار دارد. در سمت درين يك فلز اضافي با تابع كار مناسب (2.6)قرار داديم تا ماده ي نوع Pرا به Nتبديل كند.بنابراين با اتصال الكتريكي سمت درين ساختار N+-Pرا به N+-P-N+ تبديل كرديم. در ساختار پيشنهادي در سمت درين از كاشت يوني استفاده نشده است. به اين ترتيب ساختار پيشنهادي ما يك ساختار ماسفت دو گيتي است كه يكي از اتصالات P-Nآن در سمت درين حذف شده و فقط يك اتصال در سمت سورس دارد. به همين دليل اسم ساختار را ترانزيستور تك اتصالي ناميديم. به اين ترتيب اثرات كانال كوتاه در ترانزيستور ماسفت معمولي تا حد زيادي كاهش پيدا مي كند. علاوه بر اين به دليل حذف اتصال سمت درين اثر اشتراك بار كه يكي از اثرات كانال كوتاه است كاهش مي يابد و ميدان الكتريكي در سمت درين اصلاح مي شود. اصلاح ميدان الكتريكي با عث بهبود GIDLو اثر حامل هاي داغ مي شود. هم چنين در ساختار پيشنهادي مصرف توان نشتي كاهش و DIBLبهبود مي يابد. لذا ترانزيستور پيشنهادي كه اولين ترانزيستور ارايه شده تك اتصالي است، علاوه بر داشتن پروسه ساخت خيلي راحت تر اثرات كانال كوتاه هم كاهش مي يابد. بنابراين گزينه مناسبي براي استفاده در مدارات ديجيتال و آنالوگ مي باشد.